SPC多晶体反应烧结碳化硅
碳化硅烧结工艺：先将α-SiC粉和石墨粉按比例混匀，经干压、挤压或注浆等方法制成多孔坯体。在高温下与液态Si接触，坯体中的C与渗入的Si反应，生成β-SiC，并与α-SiC相结合，过量的Si填充于气孔，从而得到无孔致密的反应烧结体。
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使用温度(℃) | 气孔率（%） | 抗弯强度Mpa | 弹性硬度 | 莫氏硬度 | 耐酸碱性 |
≤1380 | ≤0.1 | 250 | 330 | 9 | 优 |
